半导体公司官宣，业界首款232层NAND量产

NAND Flash八层竞争加剧，先于176层NAND以后，各大GM对准200层以上NAND核心技术，其中三星集团电子科技率先超越，三星集团、铠侠等也在蓄势待发。

NAND Flash进入232层时代

美国东部等待时间2022年7月末26日上午9时，三星集团电子科技宣布问世世界各地华为232层NAND，该新产品至此在三星集团电子泰国钢铁厂原型车，它最初以配件表达方样式通过三星集团电子旗Crucial英睿达SSD消费者新产品线向顾客下线。随后三星集团电子将发布其他新产品和完整性发函。

△三星集团电子232层NAND，图片是从：三星集团电子

与前所几代三星集团电子NAND相对来说，三星集团电子232层NAND具有专业人士最极低的面密度，并提供更极低的容量和更极低的能效，从而为顾客端到极低效能等将近据密集型用例提供一流的赞成。

三星集团电子232层NAND核心技术提供了必要的极低性能传输，以赞成将近据为中心和汽车应用所均需的极低级框架和可实现服务，以及在移动设备、消费者电子新产品和PC上的组织起来样式沉浸样式感受。

△三星集团电子232层NAND，图片是从：三星集团电子

该核心技术节点能够扩展专业人士较快的NAND I/O偏极低速—每秒2.4GB(GB/s) ，以意味着AI和机器学习等以将近据为为中心的岗位负载的偏极低延迟和极低吞吐量均需求，非结构化将近据库和可实现将近据分析以及云计算。这一偏极低速比三星集团电子176层节点上落成的较快接口快50%。

与上一代相对来说，232层NAND还提供达100%的写入带宽和超过75%的读取带宽。这些单芯片优势转化为SSD和偏极DRAMNAND框架的性能和能效提升。

三星集团电子表示，232层NAND是华为赞成NV-LPDDR4的生产新产品，这是一种偏极低压接口，与以后所的I/O接口相对来说，每比特通信节省30%以上。因此，232层NAND框架为将近据为中心和智能化边缘的移动应用和作战提供了理想的赞成，必须在提极低性能和偏极DRAM两者之间赢得恒定。该接口还向后兼容以赞成旧转换器和系统。

232层NAND的紧凑外形为顾客的建筑设计提供了灵活性，同时实现了有史以来最极低的每平方毫米TLC密度（14.6Gb/mm2），其该单位储存密度较现在所市场上的TLC竞品相对来说极低出35%至100%。232 层NAND换用新的11.5mmx13.5mm晶圆，其晶圆厚度比三星集团电子前所几代新产品小28%，使其已是机台之比的极低密度NAND。更小厚度的更极低密度可最大限度地减少用于各种作战的面板空间内。

GM还对准500层以上NAND核心技术

NAND Flash 3D堆叠已是主流核心技术，八层跨越176层、跃进232层以后，预见GM将甩开200层、300层、400层、甚至500层以上NAND核心技术。

三星集团电子方面，232层NAND不是该公司SSD核心技术插值的终点，当年5月末三星集团电子未公开的核心技术指示牌显示，232层以后三星集团电子还将甩开2YY、3XX与4XX等更极低八层。

△三星集团电子SSD核心技术路线

三星集团电子之外，三星集团电子、西将近、铠侠等GM也在大力后退SSD八层插值。

当年2月末韩媒新闻报道，三星集团电子将在2022月末初问世200层或以上的第八代NANDSSD。专业人士表示，三星集团将在128层的单片传输器上叠加96层，问世224层的NANDSSD。与176层相对来说，224层NANDSSD的生产效率和将近据通信偏极低速将提极低30%。

当年5月末西将近对外表示，将与合作者铠侠2022月末初前所开始原型车162层SSD新产品（BiCS6），预见两家公司还将问世200层以上（BiCS+）的SSD新产品，2032年以后所还将陆续问世300层以上、400层以上与500层以上SSD核心技术。

△西将近SSD核心技术指示牌

结语

大将近据、云计算等核心技术转变，持续提升NAND Flash均需求，同时也不断主导着NAND核心技术的新增和插值，NAND FlashGM八层竞争或将越来越激烈。三星集团电子已经官宣232层NAND原型车，预见谁将先行者NAND Flash迈向更极低八层时代？我们拭目以待。

文章是从：世界各地集成电路观察 奉颖娴

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